Theorie der Reaktionskinetik an Festkörperoberflächen

Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 2000

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Hansen, Uwe (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	München Walter-Schottky-Inst. 2000
Ausgabe:	1. Aufl.
Schriftenreihe:	Selected topics of semiconductor physics and technology 27
Schlagworte:	Kristallfläche > Aluminium > Reaktionskinetik > Metallisieren > Schichtwachstum > Hochschulschrift
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