Herstellung und Charakterisierung von modulationsdotierten Feldeffekttransistoren auf der Basis von gitterangepaßten und metamorphen (InGaAl)As-Verbindungshalbleitern

Zugl.: München, Techn. Univ., Diss., 1998

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Kraus, Stefan (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen Shaker 1999
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Berichte aus der Halbleitertechnik
Schlagworte:	Feldeffekttransistor > HEMT > Galliumarsenid > Verbindungshalbleiter > Indiumarsenid > Mischkristall > Aluminiumarsenid > Hochschulschrift
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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