MOS-Transistoren mit Abmessungen im Nanometerbereich

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Kaesen, Karl Florian (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: 1998
Schlagworte:
MOS-FET - Quantendraht > VMOS-Transistor - Kurzkanal-FET > MOS-FET > Nanometerbereich > Hochschulschrift
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