MOS-Transistoren mit Abmessungen im Nanometerbereich

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Kaesen, Karl Florian (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1998
Schlagworte:	MOS-FET - Quantendraht > VMOS-Transistor - Kurzkanal-FET > MOS-FET > Nanometerbereich > Hochschulschrift
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Beschreibung
Beschreibung:	München, Univ. der Bundeswehr, Diss., 1998
Beschreibung:	XII, 133 S. Ill., graph. Darst.