Full-band Monte Carlo simulation of electrons and holes in strained Si and SiGe

Full-band Monte Carlo simulation of electrons and holes in strained Si and SiGe

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Bufler, Fabian M. (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: München Utz, Wiss. 1998
Schriftenreihe:Elektrotechnik
Schlagworte:
Elektronischer Transport > Mischkristall > Silicium > Monte-Carlo-Simulation > Elastische Deformation > Germanium > Hochschulschrift
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