Full-band Monte Carlo simulation of electrons and holes in strained Si and SiGe

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Bufler, Fabian M. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	München Utz, Wiss. 1998
Schriftenreihe:	Elektrotechnik
Schlagworte:	Elektronischer Transport > Mischkristall > Silicium > Monte-Carlo-Simulation > Elastische Deformation > Germanium > Hochschulschrift
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