MOVPE-Schichten aus III - V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Tang, Guang-Ping (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1994
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: [Fortschritt-Berichte VDI / 5] 360
Schlagworte:	Dünne Schicht > MOCVD-Verfahren > Indiumphosphid > Silicium > Galliumarsenid > Halbleitersubstrat > Hochschulschrift
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Beschreibung:	Zugl.: Braunschweig, Techn. Univ., Diss.
Beschreibung:	101 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3183360055 3-18-336005-5