Etching of single crystalline silicon by hydrogen plasma and silicon deposition from Si 2 H 6 and SiH 4 for low temperature silicon epitaxy

München, Techn. Univ., Diss., 1993

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Wang, Chunlin (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1993
Schlagworte:	Einkristall > Silicium > Silan > Epitaxieschicht > Plasmaätzen > Disilan > CVD-Verfahren > Hochschulschrift
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	München, Techn. Univ., Diss., 1993
Beschreibung:	138 S. Ill., graph. Darst.