Untersuchung und Charakterisierung von ein- und zweidimensionalen Implantationsprofilen in einkristallinem Silicium

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Gong, Li (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1993
Schlagworte:	Silicium > Ionenimplantation > Einkristall > Tiefenprofilmessung > Hochschulschrift
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Beschreibung:	Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss.
Beschreibung:	100 S. Ill., zahlr. graph. Darst.