Hydrogen in semiconductors bulk and surface properties ; proceedings of the sixth Trieste IUPAP-ICTP Semiconductor Symposium, International Centre for Theoretical Physics, Trieste, Italy, 27 - 31 August 1990

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Körperschaften:	International Union of Pure and Applied Physics (BerichterstatterIn), Trieste Semiconductor Symposium (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Stutzmann, Martin (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Amsterdam North-Holland 1991
Schriftenreihe:	Physica / B 170
Schlagworte:	Hydrogène - Congrès > Semiconducteurs - Congrès > Semiconducteurs - Défauts - Congrès > Hydrogen > Semiconductors > Defects > Halbleiter > Wasserstoff > Konferenzschrift
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Beschreibung:	Einzelaufn. e. Zs.-Bandes
Beschreibung:	XVII, 581 S. Ill., graph. Darst.