Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium e. Technik zur Erzeugung von dielektr. isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte
Gespeichert in:
| 1. Verfasser: | |
|---|---|
| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
Düsseldorf
VDI Verl.
1986
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| Ausgabe: | Als Ms. gedr. |
| Schriftenreihe: | Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 9
64 |
| Schlagworte: | |
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