Hochdosisimplantation von Stickstoff in Silizium e. Technik zur Erzeugung von dielektr. isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Vogt, Holger (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI Verl. 1986
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Verein Deutscher Ingenieure: Fortschritt-Berichte VDI / 9 64
Schlagworte:	Silicium > CMOS > Hochschulschrift > Stickstoffimplantation
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Beschreibung:	Literaturverz. S. 138 - 151. - Zugl.: Dortmund, Univ., Diss., 1986
Beschreibung:	152 S. Ill., graph. Darst.
ISBN:	3181464090 3-18-146409-0