Flüssigphasenepitaxie von InP/In1-xGaxP1-yAsy-Heterostrukturen 2. Elektrische Eigenschaften von InP und InO,53GaO,47As. - 1982. - 24 S. - (
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1. Verfasser: | |
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Format: | UnknownFormat |
Sprache: | ger |
Veröffentlicht: |
Darmstadt
1982
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Schriftenreihe: | Fernmeldetechnisches Zentralamt, Darmstadt, Forschungsinstitut: Technischer Bericht
262 |
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