Modellierung des Signal- und Rauschverhaltens von Sperrschicht-Feldeffekttransistoren im Sättigungsbereich

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Schröder, Dietmar (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	1983
Schlagworte:	Sperrschicht-FET > Elektrische Eigenschaft > Hochschulschrift
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Beschreibung
Beschreibung:	Braunschweig, Techn. Univ., Diss.
Beschreibung:	196 S.