˜Theœ dopant density and temperarture dependence of electron mobility and resistivity n N-Type Silicon

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Li, Shen S.
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Washington U. S. Gov. Print. Off. 1977
Schriftenreihe:Semiconductor measurement technology 33
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Beschreibung
Beschreibung:VII, 28 S.
Graph. Darst.