Darstellung und Charakterisierung epitaktischer 3C-SiC Schichten auf Si(100) Substraten

München, Techn. Univ., Diss., 1997

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Kunstmann, Thomas
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Schlagworte:	Silicium > Kristallfläche > Siliciumcarbid > Heteroepitaxie
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Beschreibung
Zusammenfassung:	München, Techn. Univ., Diss., 1997
Beschreibung:	142 S. Ill., graph. Darst.