Einzelelektron-Tunneltransistor Transportspektroskopie der elektronischen Grund- und Anregungszustände in einem GaAs/Al xGa 1-xAs-Quantentopf

Stuttgart, Univ., Diss., 1994

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Weis, Jürgen
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Schlagworte:
Galliumarsenid > Aluminiumarsenid > Quantenwell > Einelektronen-Tunneleffekt > Transistor > Elektronenzustand
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Beschreibung
Zusammenfassung:Stuttgart, Univ., Diss., 1994
Beschreibung:196 S.
Ill., graph. Darst.