Modellrechnungen zum Einfluss von Grenzflächeneffekten auf die Charakteristik von Dünnfilm-Feldeffekt Transistoren aus a-Si:H

Marburg, Univ., Diss., 1990

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Saleh, Rosari
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Schlagworte:	Dünnschichttransistor > Amorpher Zustand > Zustandsdichte > Silicium > Feldeffekttransistor > Wasserstoff
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Marburg, Univ., Diss., 1990
Beschreibung:	61 S. graph. Darst.