Über die Lösungszonenzüchtung von GaAs- und InP-Einkristallen und deren Charakterisierung mit besonderer Berücksichtigung der Eingendefekte in GaAs
Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1986
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Zusammenfassung: | Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1986 |
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Beschreibung: | 108 S. |