Dissipative quantum transport simulations in two-dimensional semiconductor devices from first principles

Dissipative quantum transport simulations in two-dimensional semiconductor devices from first principles

Dissertation, ETH Zürich

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Szabó, Áron (VerfasserIn)
Körperschaft: Wissenschaftliche Publikationen (Verlag)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Konstanz Hartung-Gorre Verlag 2016
Ausgabe:First edition
Schriftenreihe:Series in microelectronics volume 228
Schlagworte:
Semiconductors > Electron transport > Nanoelectronics > Hochschulschrift > Heteroübergang > Elektronischer Transport > Dissipatives System > Wannier-Funktion > Mehrpunktfunktion > Dichtefunktionalformalismus
Online Zugang:Inhaltsverzeichnis
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Beschreibung
Zusammenfassung:Dissertation, ETH Zürich
Beschreibung:xiii, 165 Seiten
Illustrationen
21 cm, 300 g
ISBN:3866285701
3-86628-570-1
9783866285705
978-3-86628-570-5
9783866285701