Large-signal and small-signal models for arbitrarily-doped dour-terminal field-effect transistors

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	IEEE Transactions on Electron Devices ; ED-13.1966,12, S. 819-829
1. Verfasser:	Lindholm, F. A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Gray, P. R. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Gainesville, Fla. Florida Engineering and Industrial Experiment Station, College of Engineering, Univ. of Florida 1967
Schriftenreihe:	Engineering progress at the University of Florida 21.1967,3,[1] Technical paper / Florida Engineering and Industrial Experiment Station, College of Engineering, University of Florida 369
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