Calibration of IR absorbance in highly nitrogen doped silicon

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Gettering and defect engineering in semiconductor technology XV
Weitere Verfasser:	Lauer, Kevin (BerichterstatterIn), Möller, Christian (BerichterstatterIn), Porytskyy, Rudolf (BerichterstatterIn), Strutzberg, Hartmuth (BerichterstatterIn), Schulze, Dirk (BerichterstatterIn), Schley, Michael (BerichterstatterIn), Schaaff, Friedrich (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2014
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