Verbundprojekt: Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung, Teilvorhaben: Mikro-optische und strukturelle Charakterisierung von GaN-auf-Silizium Strukturen : Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg ; Berichtzeitraum: 01.10.2008 - 30.04.2012

Verbundprojekt: Effiziente, kostengünstige InGaN-Lichtquellen auf Silizium-Substraten für die Allgemeinbeleuchtung, Teilvorhaben: Mikro-optische und strukturelle Charakterisierung von GaN-auf-Silizium Strukturen Abschlussbericht der Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg ; Berichtzeitraum: 01.10.2008 - 30.04.2012

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Magdeburg 2012
Schlagworte:
Forschungsbericht > Lumineszenzdiode > Galliumnitrid > MOCVD-Verfahren
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 13N10253. - Verbund-Nr. 01068154
Auch als elektronische Ressource vorh
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Beschreibung:22 Bl.
Ill., graph. Darst.