High Si and Ge n-type doping of GaN doping - Limits and impact on stress

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Applied physics letters
1. Verfasser:	Fritze, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Dadgar, Armin (VerfasserIn), Witte, Hartmut (VerfasserIn), Bügler, M. (BerichterstatterIn), Rohrbeck, A. (BerichterstatterIn), Bläsing, Jürgen (BerichterstatterIn), Hoffmann, A. (BerichterstatterIn), Krost, Alois (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2012
Schlagworte:
Online Zugang:	http://dx.doi.org/10.1063/1.3695172
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