Siliciumbasierte Grundmaterialien für 3-dimensionale Transistoren (SIGMADT), Teilvorhaben: Wafertechnologie für 3D-Bauelemente ; Schlussbericht SIGMADT ; Berichtszeitraum: 01.05.2008 - 31.10.2010

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft:	Siltronic AG (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Murphy, Brian (BerichterstatterIn), Lambert, Ulrich (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	München 2011
Schlagworte:	Forschungsbericht
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