Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika

Zugl.: Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Inst. für Nanoelektronik, Diss., 2010

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Hafkemeyer, Kristian M. (VerfasserIn)
Körperschaft:	Technische Universität Hamburg-Harburg Institut für Nanoelektronik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Krautschneider, Wolfgang (BerichterstatterIn), Keil, Frerich (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Berlin Logos 2011
Schlagworte:	Hochschulschrift > MOS-FET > Gate-Oxid > Siliciumdioxid > CMOS > Nanometerbereich > Dielektrische Schicht > Elektrischer Durchbruch > Degradation
Online Zugang:	Inhaltstext
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