High precision stress measurements in semiconductor structures by raman microscopy

Dresden, Techn. Univ., Fak. Math. u. Naturwiss., Diss., 2010

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Uhlig, Benjamin (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2010
Schlagworte:	Hochschulschrift > Halbleiter > Mechanische Spannung > Raman-Spektroskopie > Rastermikroskopie > Stokes-Anti-Stokes-Kopplung
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Dresden, Techn. Univ., Fak. Math. u. Naturwiss., Diss., 2010
Beschreibung:	f, 115, XIX S. Ill., graph. Darst.