Investigation of resistive switching in barium strontium titanate thin films for memory applications

Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2009

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Shen, Wan (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Jülich Forschungszentrum, Zentralbibliothek 2010
Schriftenreihe:	Schriften des Forschungszentrums Jülich Reihe Information Bd. 8
Schlagworte:	Hochschulschrift > RAM > Bariumtitanat > Strontiumtitanat > Schaltverhalten
Online Zugang:	Freie elektronische Version
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