Gallium nitride electronics

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Quay, Rüdiger (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Berlin, Heidelberg Springer 2008
Schriftenreihe:	Springer series in materials science 96
Schlagworte:	Gallium nitride > Semiconductors > Halbleiterbauelement > Borgruppennitride > Stoffeigenschaft > Integration > Verbindungstechnik > Galliumnitrid > Aluminiumnitrid > Indiumnitrid > Mischkristall > Molekularstrahlepitaxie > MOCVD-Verfahren > Elektronisches Bauelement > Hochfrequenzbauelement > HEMT
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