Transporteigenschaften von Elektronen in Siliziumkarbid bei tiefen Temperaturen und im Kanal von Metall-Oxid-Halbleiter-Transistoren
Erlangen, Univ., Diss., 2005
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| 1. Verfasser: | |
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| Format: | UnknownFormat |
| Sprache: | ger |
| Veröffentlicht: |
2005
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