Origine, symétrie et largeur des transitions électroniques et vibrationnelles des impuretés dans les semiconducteurs Application au phosphore et à l'oxygène dans le silicium

Paris, Diss., 1969

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Pajot, Bernard (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Veröffentlicht:	1969
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