Untersuchung des Einflusses von Dotierungen auf das Kristallpotential von Silizium durch Beugung im konvergenten Elektronenbündel Voss, Rainer
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| 1. Verfasser: | |
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| Format: | UnknownFormat |
| Veröffentlicht: |
1979
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Tag hinzufügen | Beschreibung: | Berlin, Techn. Univ., Fachbereich 04 - Physik, Diss 2 Mikrofiches |
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| Beschreibung: | 92 Bl., 22 ungez. Bl. Anh., 4" |