Steg-MOSFETs und Floating-Dot-Speicher auf SOI-Basis : Abschlussbericht zum Teilprojekt ; innerhalb des Verbundprojekts "Hochgeschwindigkeit-SOI-MOSFETs mit geringer Leistungsaufnahme (HSOI-MOS)" ; Projektzeitraum: 01.03.2000 bis 31.08.2003

Steg-MOSFETs und Floating-Dot-Speicher auf SOI-Basis Abschlussbericht zum Teilprojekt ; innerhalb des Verbundprojekts "Hochgeschwindigkeit-SOI-MOSFETs mit geringer Leistungsaufnahme (HSOI-MOS)" ; Projektzeitraum: 01.03.2000 bis 31.08.2003

Wire-transistor, MOSFET, silicon-on-insulator substrate, SOI, floating-dot memory, floating-gate memory

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Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: RWTH Aachen Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Winkler, O. (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Aachen 2004
Schlagworte:
Forschungsbericht
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Beschreibung
Zusammenfassung:Wire-transistor, MOSFET, silicon-on-insulator substrate, SOI, floating-dot memory, floating-gate memory
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01 M 3101 C. - Verbund-Nr. 01018010. - Engl. Zsfassung u.d.T.: Final report of the partial project "Wire-MOSFETs and Floating-Dot-Memory on SOI"
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Ressource können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronische Ressource vorh
Beschreibung:19 Bl
Ill., graph. Darst