Steg-MOSFETs und Floating-Dot-Speicher auf SOI-Basis Abschlussbericht zum Teilprojekt ; innerhalb des Verbundprojekts "Hochgeschwindigkeit-SOI-MOSFETs mit geringer Leistungsaufnahme (HSOI-MOS)" ; Projektzeitraum: 01.03.2000 bis 31.08.2003

Wire-transistor, MOSFET, silicon-on-insulator substrate, SOI, floating-dot memory, floating-gate memory

Bibliographische Detailangaben

Körperschaft:	RWTH Aachen Lehrstuhl und Institut für Halbleitertechnik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Winkler, O. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Aachen 2004
Schlagworte:	Forschungsbericht
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