Epitaxial growth of 6H silicon carbide in the temperature range 1320° to 1390° C

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Will, Herbert A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Powell, J. Anthony (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Washington, DC National Aeronautics and Space Administration 1974
Schriftenreihe:	NASA technical note D 7558
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