Grundlegende Untersuchungen zur Herstellung perfekter, N-dotierter 4H-SiC-Einkristalle hoher Leitfähigkeit und zum Dotierungseinfluss auf den Waferingprozess Abschlussbericht für die Projektlaufzeit vom 01.07.2000 - 30.06.2003

Bibliographische Detailangaben

Körperschaft:	Institut für Kristallzüchtung (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Siche, D. (BerichterstatterIn), Rost, H.-J. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Berlin 2003
Schlagworte:	Forschungsbericht
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