Large area crack-free GaN on top of Si-on-insulator substrates

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Zamir, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Meyler, B. (VerfasserIn), Salzman, J. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Haifa Technion, Israel Institute of Technology 2001
Schriftenreihe:	CCIT report 352 EE PUB 1286
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