Enhanced photoluminescence from GaN grown by lateral confined epitaxy

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Zamir, S. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Meyler, B. (VerfasserIn), Salzman, J. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	Haifa Technion, Israel Institute of Technology 2001
Schriftenreihe:	CCIT report 351 EE PUB 1285
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