Chemisch modifizierte Oberflächen und Grenzflächen von III-V-Halbleitern Förderzeitraum: 01.04.98 - 31.03.01 ; [Schlussbericht] ; BMBF-Förderschwerpunkt Erforschung der kondensierten Materie - Großgeräte der physikalischen Grundlagenforschung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser: Chassé, Thomas (VerfasserIn)
Weitere Verfasser: Horn, Karsten (VerfasserIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: Leipzig Univ. u.a. 2002
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