Verbundprojekt: Untersuchung der Möglichkeiten zur Züchtung von SiC-Einkristallen und zur Bereitstellung von Wafern aus SiC Teilvorhaben: Aufbau der Anlagenbasis, Kristallzüchtung und Bereitstellung von SiC-Wafern ; Abschlußbericht für die Projektlaufzeit vom 01.04.96 - 30.06.00
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Format: | UnknownFormat |
Sprache: | ger |
Veröffentlicht: |
Berlin
2000
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