Molecular beam epitaxy growth and structural property of self-assembled InAs quantum dots on GaAs

Hamburg, Univ., FB Physik, Diss., 2000

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Zhang, Kai (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2000
Schlagworte:	Hochschulschrift
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Hamburg, Univ., FB Physik, Diss., 2000
Beschreibung:	X, 123 S Ill., graph. Darst