Top-Gate Einzel-Elektronen-Transistoren in Si/SiGe Heterostrukturen Schlußbericht zum Vorhaben

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaft: Ludwig-Maximilians-Universität München Sektion Physik (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Kotthaus, Jörg Peter (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:ger
Veröffentlicht: München ca. 1999
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Beschreibung
Beschreibung:Förderkennzeichen BMBF 01M2413 C6
Unterschiede zwischen dem gedruckten Dokument und der elektronischen Dokumentversion können nicht ausgeschlossen werden
Auch als elektronisches Dokument vorh
Beschreibung:41 Bl
Ill., graph. Darst