Relaxationsphänomene in keramischen Dünnschichten für zukünftige hochintegrierte Halbleiterspeicher

Zugl.: Aachen, Techn. Hochsch., Diss

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Schumacher, Marcus (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1998
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Fortschrittberichte VDI Reihe 5, Grund- und Werkstoffe, Kunststoffe 535
Schlagworte:	Hochschulschrift > Halbleiterspeicher > Titanatkeramik > MOCVD-Verfahren > Dünne Schicht > Dielektrische Relaxation > Ferroelektrizität > PLZT-Keramik > Tantalate > Oxidkeramik
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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