Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon : [held in San Antonio, Texas at the 190th Meeting of the Electrochemical Society, October 6-11, 1996]

Proceedings of the Fourth International Symposium on High Purity Silicon [held in San Antonio, Texas at the 190th Meeting of the Electrochemical Society, October 6-11, 1996]

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Körperschaften: International Symposium on High Purity Silicon (VerfasserIn), Electrochemical Society Electronics Division (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser: Claeys, C. L. (BerichterstatterIn)
Format: UnknownFormat
Sprache:eng
Veröffentlicht: Pennington, NJ Electrochemical Society c1996
Schriftenreihe:Proceedings volume / Electrochemical Society, Inc 96-13
Schlagworte:
Silicon diodes > Congresses > Silicon crystals > Crystal growth > Semiconductor wafers > Konferenzschrift > Silicium > Störstelle
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