Oberflächentopologien von GaAs(001) Schichten und ihr Wachstum während der Flüssigphasenepitaxie

Zugl.: Hamburg-Harburg, Techn. Univ., Arbeitsbereich Halbleitertechnologie, Diss., 1995

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Marek, Tamas (VerfasserIn)
Körperschaft:	Technische Universität Hamburg-Harburg Arbeitsbereich Halbleitertechnologie (BerichterstatterIn)
Weitere Verfasser:	Strunk, Horst (BerichterstatterIn), Harsdorff, M. (BerichterstatterIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	ger
Veröffentlicht:	Düsseldorf VDI-Verl. 1996
Ausgabe:	Als Ms. gedr.
Schriftenreihe:	Fortschrittberichte VDI Reihe 9, Elektronik, Mikro- und Nanotechnik 222
Schlagworte:	Hochschulschrift > Galliumarsenid > Flüssigphasenepitaxie > Schichtwachstum > Reflexionselektronenmikroskopie
Online Zugang:	Inhaltsverzeichnis
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