BONDING OF Si WAFERS BY: SURFACE ACTIVATION METHOD FOR THE DEVELOPMENT OF HIGH EFFICIENCY HIGH COUNTING RATE RADIATION DETECTORS

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Radiation detectors and their uses
1. Verfasser:	Kanno, I. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yamashita, M. (VerfasserIn), Onabe, H. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2006
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Beschreibung
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