(Invited) Selective Area Etching and Doping of GaN for High-Power Applications

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Symposium "Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies" (Veranstaltung : 11. : 2021 : Online) Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 11
1. Verfasser:	Li, B. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Wang, S. (VerfasserIn), Chang, A. S. (VerfasserIn), Lauhon, L. (VerfasserIn), Liu, Y. (VerfasserIn), Raghothamachar, B. (VerfasserIn), Dudley, M. (VerfasserIn), Han, J. (VerfasserIn)
Pages:	11
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
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