(Invited) Total Dose Effects and Single Event Upsets During Radiation Damage of GaN and SiC

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Symposium "Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies" (Veranstaltung : 11. : 2021 : Online) Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 11
1. Verfasser:	Khachatrian, A. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Ildefonso, A. (VerfasserIn), Islam, Z. (VerfasserIn), Rasel, M. A. J. (VerfasserIn), Haque, A. (VerfasserIn), Kim, J. (VerfasserIn), Ren, F. (VerfasserIn), Xian, M. (VerfasserIn), Pearton, S. J. (VerfasserIn)
Pages:	11
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	2021
Schlagworte:
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!