Polycrystallization of Amorphous Si Layers by Ion Implantation and Thermal Annealing

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Takahashi, M. (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Kitahara, M. (VerfasserIn), Inada, T. (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	1988
Schlagworte:
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Beschreibung
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