Hot-carrier effects in MOS devices

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Takeda, Eiji (VerfasserIn)
Weitere Verfasser:	Yang, Cary Y. (VerfasserIn), Miura-Hamada, Akemi (VerfasserIn)
Format:	UnknownFormat
Sprache:	eng
Veröffentlicht:	San Diego u.a. Academic Press 1995
Schlagworte:	Metal oxide semiconductors > Hot carriers > Semiconductors > Quantum theory > MOS > MOS-Schaltung > Heißes Elektron
Online Zugang:	Publisher description Table of contents
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